特許

J-GLOBAL ID：200903026096739065

エピタキシャル成長装置

発明者： 石橋 昌幸
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071606
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260095
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 ハロゲンランプによる輻射熱の不均一を無くし、半導体ウェーハにエピタキシャル膜を均一に成膜するエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハWを搭載するサセプタ20には、裏面に当接してこれを支持するサセプタ支持部材8が設けられる。サセプタ支持部材8は、上記サセプタ20で半導体ウェーハWの搭載部分の裏面を覆う。サセプタ支持部材8は、円筒形状または円錐形状を有して透明な石英で形成されている。これにより、半導体ウェーハWは、下方のハロゲンランプ6から輻射熱を均一に受ける。この結果、このエピタキシャル装置10では、反応室2内においてサセプタ温度を全面で均一化でき、搭載した半導体ウェーハWの表面にエピタキシャル膜を均一の厚さに成膜することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に半導体ウェーハを搭載する円板状のサセプタと、 サセプタの裏面に当接してこれを支持するサセプタ支持部材とを備えたエピタキシャル成長装置において、 上記サセプタ支持部材は、上記サセプタで半導体ウェーハの搭載部分の裏面を覆うエピタキシャル成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L21/68 N

Fターム (18件)：

5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA12 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA50 ,  5F031KA03 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F031PA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EK13 ,  5F045EK14 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-297087   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-187552   出願人：東芝機械株式会社