特許
J-GLOBAL ID：200903054849942580
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-297087
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124141
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 均一な膜厚のエピタキシャル成長シリコン膜が得られる、改良されたサセプタ及びサセプタ支持シャフトを備えた半導体製造装置を得ることを目的とする。【解決手段】 エピタキシャル成長装置10Aは半導体ウェハであるシリコンウェハWを一枚ずつ処理する枚葉式であり、例えば石英ガラスで構成された処理チャンバ12と、この処理チャンバ12内に配置されたウェハ支持用のサセプタ14Aとを備えている。サセプタ14Aは、サセプタ支持シャフト15Aによりその周縁部のみが支持され、かつ位置決めされている。処理チャンバ12の側部には、処理ガスの供給口16が形成されており、この供給口16に対向する位置に排気口18が形成されている。また、処理チャンバ12の上側領域及び下側領域には、それぞれ複数本のハロゲンランプ20が放射状に配置されている。
請求項（抜粋）：
処理ガスの供給口及び排気口を有し、内部に加熱源が設けられた処理チャンバ内に配置された半導体ウェハを熱処理する半導体製造装置であって、前記処理チャンバ内で前記半導体ウェハをその上面に載置するサセプタと、前記サセプタを下方から支持するサセプタ支持シャフトとを備え、前記サセプタ支持シャフトは、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置するメインシャフト、及びこのメインシャフトの上端から放射状に延びる少なくとも3本のアームを有し、このアームの先端には前記サセプタに向かう突起が設けられ、前記サセプタ下面の周縁部には、前記突起の外径とほぼ等し内径を有し前記突起と嵌合する凹部が形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/26 E
5F045BB02
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045EC01
, 5F045EK12
, 5F045EK13
, 5F045EM01
, 5F045EM02
, 5F045EM09
, 5F045EM10
