特許
J-GLOBAL ID：200903026107642751
電界イオン顕微鏡又はアトムプローブに用いられる針状体の形成方法及び電界イオン顕微鏡又はアトムプローブに用いられる針状体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031309
公開番号（公開出願番号）：特開2006-220421
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 半導体プロセスや半導体デバイス開発などで用いられる平板状・薄膜状の試料のAPFIM分析を高い再現性・信頼性で効率よく可能にするような針状体を提供する。【解決手段】 本発明は、基板11と、前記基板上に形成された被分析領域17とを具備する試料10の表面に導電材16を接合して複合体18を得る接合工程と、前記複合体18を、前記被分析領域17の少なくとも一部を備える尖状部と、前記導電材16の少なくとも一部を備え、前記尖状部に接合した支柱部とを具備する針状体に加工する加工工程と、を行うことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の一方の面に形成された被分析領域とを具備する試料を加工して電界イオン顕微鏡又はアトムプローブ分析に用いられる針状体を形成する方法であって、
前記試料の前記被分析領域が形成された側の表面に導電材を接合して複合体を得る接合工程と、
前記複合体を、前記被分析領域の少なくとも一部を備える尖状部と、前記導電材の少なくとも一部を備え前記尖状部に接合した支柱部とを具備する針状体に加工する加工工程と、
を行うことを特徴とする電界イオン顕微鏡又はアトムプローブに用いられる針状体の形成方法。
IPC (4件)：
G01N 1/28
, G01N 27/62
, H01J 37/285
, H01J 49/16
G01N1/28 F
, G01N27/62 F
, H01J37/285
, H01J49/16
2G052AA13
, 2G052AB26
, 2G052AD12
, 2G052AD52
, 2G052BA23
, 2G052EC00
, 2G052EC22
, 2G052FD06
, 2G052GA31
, 5C038GG04
, 5C038GH06
, 5C038GH11
