特許
J-GLOBAL ID：200903026108329046

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松原 義久

松原 義久 について

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小室 雅宏

小室 雅宏 について

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井口 学

井口 学 について

, 
小野寺 貴弘

小野寺 貴弘 について

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岡田 紀雄

岡田 紀雄 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031847
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】Cuの埋め込み性を劣化させることなく、Cu原子の輸送現象に起因するボイド欠陥等の発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】CMP法を用いてCu配線を形成するダマシンプロセスにおいて、配線溝又はビア孔にCu5をメッキ成長した後、又はCMPによりCu5を研磨した後、Cu5上にAl6又はAlを含む材料を形成し、200°C〜270°C程度の温度で熱処理を行うことにより、Al6をCu5に全固溶させてCu-Al合金7を形成するものであり、Cu5の上にAl6を形成することにより、配線溝又はビア孔のアスペクト比の増加を防止し、また、配線又はビアを合金化することにより、拡散係数を減少させてCu原子の移動によるボイド欠陥の発生を抑制し、配線の信頼性を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層に形成される配線溝又はビア孔に、CMP法を用いて配線又はビアが形成されてなる半導体装置において、 前記配線又は前記ビアの少なくとも一つが、CuとAlの合金からなり、 前記合金のAlの含有比率が略0.1乃至10atm・%に設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A
Fターム (96件)：
4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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