特許
J-GLOBAL ID：200903026136139910
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096654
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284686
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力化と動作の安定化とを実現した内部電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 第1の周期的なパルスを整流してチャージポンプ回路により内部電圧を形成し、上記内部電圧のレベルが所望レベルに到達した否かを検出するレベル検出回路を設け、その検出信号に応じて上記内部電圧が所望のレベルになるように制御回路で上記チャージポンプ回路を制御するとともに、上記レベル検出回路の電流経路に第2の周期的なパルスによりスイッチ制御されるスイッチ素子を挿入する。
請求項（抜粋）：
第1の周期的なパルスを整流して内部電圧を形成するチャージポンプ回路と、上記内部電圧に対して電流を流す電流経路を備え、かかる内部電圧のレベルが所望レベルに到達した否かを検出するレベル検出回路と、上記レベル検出回路の検出信号に応じて上記チャージポンプ回路の実質的な動作を制御して、上記内部電圧が所望のレベルになるように制御する制御回路と、上記レベル検出回路における上記電流経路に挿入され、第2の周期的なパルスによりスイッチ制御されるスイッチ素子とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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