特許
J-GLOBAL ID：200903026139411840
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342677
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142406
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 六方晶GaNをはじめとする、高品質な六方晶III族窒化物半導体結晶を実現できる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs単結晶を基板11とする、六方晶のIII族窒化物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる、半導体装置の製造方法において、基板面上に所定の基板温度で、Ga、As、Nの各材料元素を同時に供給することによりGaAsNバッファー層12を成長させ、原料供給を継続したまま基板温度を昇温し、Ga、As、Nの供給を止める第1過程と、第1過程の後すぐに、III族の原料元素としてAlおよびNを同時に供給することにより、AlN13を形成する第2過程と、第2過程で昇温した基板温度をさらに昇温して、AlN13の上にGaN層14を成長させる第3過程とを含む。
請求項（抜粋）：
GaAs単結晶を基板とする、六方晶のIII族窒化物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる、半導体装置の製造方法において、前記基板面上に所定の基板温度で、Ga、As、Nの各材料元素を同時に供給することによりGaAsl-XNX単結晶薄膜を成長させ、原料供給を継続したまま前記基板温度を昇温し、Ga、As、Nの供給を止める第1過程と、前記第1過程の後すぐに、III族の原料元素を同時に供給することにより、III族窒化物単結晶薄膜を形成する第2過程と、前記第2過程で昇温した基板温度をさらに昇温して、前記III族窒化物単結晶薄膜の上に六方晶III族窒化物半導体結晶を成長させる第3過程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (13件)：
5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AD10
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045CB02
, 5F045DA53
, 5F045DA57
, 5F045DC52
