特許
J-GLOBAL ID：200903070264429505

窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜、窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体装置及び窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体レーザ

発明者：
長谷川 文夫

長谷川 文夫 について

, 
碓井 彰

碓井 彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
長谷川 文夫

長谷川 文夫 について


代理人 (2件)： 京本 直樹 (外2名) ,  後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277440
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【目的】 GaAsなどのIII-V族化合物半導体結晶基板上にサファイア基板と同様に900°C以上の高温で結晶性、光学的・電気的特性に優れた六方晶系GaN、AlNの結晶膜を成膜する。【解決手段】V族元素として砒素又は、燐をからなるIII-V族化合物半導体結晶基板上に、900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層が少なくとも成長温度が異なる二層以上のAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層上に成膜されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の結晶膜。900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層は、V族元素として砒素又は、燐からなるIII-V族化合物半導体結晶基板の(111)面に堆積されている。
請求項（抜粋）：
V族元素として砒素又は、燐をからなるIII-V族化合物半導体結晶基板上に、900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層を含む層構造が堆積されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の結晶膜。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (53件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045CA02 ,  5F045CA05 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ11 ,  5F045EC01 ,  5F045EC02 ,  5F045HA04
引用特許：
審査官引用 (11件)
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