特許

J-GLOBAL ID：200903026147541079

半導体記憶装置および半導体記憶装置の情報読出方法

発明者： 林 豊 ,  李 明 ,  中村 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255045
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213094
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 書き込み時の消費電流を低減でき、読み出し時のリーク電流による誤読み出しを防止できる半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 ワード線X1 ,X2 ,...,Xm と平行にソース線Z1 ,Z2 ,...,Zm を配置し、これらの信号線と交差してビット線Y1 ,Y2 ,...,Yn を配置し、これらのワード線とビット線との交点に、メモリトランジスタM11,M12,M13,...,Mm1を配置し、メモリトランジスタの制御ゲート、ドレインとソースがそれぞれワード線、ソース線とビット線に接続し、各ソース線が入力端子が同一行のワード線に接続するインバータの出力端子に接続するので、書き込みおよび読み出し時に、選択されたメモリセルが接続するソース線が接地され、それ以外のソース線が電源電圧VCCまでに持ち上げられ、書き込み時の消費電流の低減および読み出し時のリーク電流による誤読み出しの防止を図る。

請求項（抜粋）：

複数の記憶素子が行列状に配置され、同一行の前記記憶素子のゲートが共通のワード線に接続され、前記記憶素子のソースが共通のソース線に接続され、同一列の前記記憶素子のドレインが共通のビット線に接続された半導体記憶装置であって、前記ワード線信号の反転信号によって前記ソース線を駆動するソース線駆動手段を有する半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

G11C 17/00 520 A ,  G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-238758   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080364   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• 電荷トラツプ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313313   出願人：ローム株式会社