特許

J-GLOBAL ID：200903026150501100

プラズマ処理方法

発明者： 奥村 智洋 ,  齋藤 光央
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393835
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193590
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】 簡単で、かつ、所望の微小部分を精度良く加工することのできるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 10000Pa以上3気圧以下の圧力下で発生させたマイクロプラズマで生成された活性粒子を、金属又は半導体である被処理物の表面に照射し、上記被処理物の表面17を加工するプラズマ処理方法であって、上記被処理物の表面の自然酸化膜17aを除去する第1のステップと、上記自然酸化膜を除去した領域の一部又は全部をエッチング加工する第2のステップとを備える。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

10000Pa以上3気圧以下の圧力下で発生させたマイクロプラズマで生成された活性粒子を、金属又は半導体である被処理物の表面に照射し、上記被処理物の表面を加工するプラズマ処理方法であって、 上記被処理物の表面の自然酸化膜を除去する第1のステップと、 上記自然酸化膜を除去した領域の一部又は全部をエッチング加工する第2のステップとを備えるプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  C23F4/00

FI (2件)：

H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A

Fターム (37件)：

4K057DA11 ,  4K057DB01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DG16 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA28 ,  5F004EA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特願2002-254324号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268000   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ウエハ平坦化システム及びウエハ平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052993   出願人：スピードファム・アイペック株式会社, 堀池靖浩