特許
J-GLOBAL ID：200903026153533061

フッ素樹脂膜の形成方法および半導体装置並びにその製造方法

発明者：
宮川 拓也

宮川 拓也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170264
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357685
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 誘電率の小さな密着性に優れたフッ素樹脂膜を形成する。【解決手段】 原料タンク60内の液体パーフルオロカーボンは、ヒータ64によって加熱されてパーフルオロカーボン蒸気66となり、四フッ化炭素、アルゴンとともに真空容器50に供給される。真空容器70内の処理テーブル82の上には、シリコンウエハ84が配置してある。高周波電源92によって電極94と処理テーブル82との間に高周波電圧を印加し、パーフルオロカーボン蒸気66、四フッ化炭素、アルゴンの混合気体を介した放電を発生させてパーフルオロカーボンを重合し、シリコンウエハ84の表面にフッ素樹脂膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空容器内に気体状パーフルオロカーボンを導入して真空放電を発生させ、前記気体状パーフルオロカーボンを重合させて基材表面に重合膜を形成することを特徴とするフッ素樹脂膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 S
Fターム (25件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR24 ,  5F033SS01 ,  5F033SS11 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX33 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AF02 ,  5F058AG07 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 層間絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227736   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-345030
  • 絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-328922   出願人：松下電器産業株式会社
全件表示
審査官引用 (2件)
  • 層間絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227736   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-345030

前のページに戻る

TOP

BOTTOM