特許
J-GLOBAL ID：200903026174166654

シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び方法

発明者：
高松 弘行

高松 弘行 について

, 
迫田 尚和

迫田 尚和 について

, 
尾嶋 太

尾嶋 太 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について

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株式会社コベルコ科研

株式会社コベルコ科研 について


代理人 (4件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎 ,  村松 敏郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008242
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288135
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】半導体薄膜の結晶性を試料を破壊することなく評価することができ、また、非前記薄膜を形成させるための製造ラインで、形成された薄膜をオンラインで迅速に評価できるような半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の所定の領域にキャリア励起光を照射する励起光照射手段と、赤外光を集光した状態で前記領域内に照射する赤外光集光照射手段と、シリコン半導体薄膜において反射された反射光の強度を検出する反射光強度検出手段と、前記検出した信号から結晶性を評価するためのデータを作成するデータ作成手段とを備えることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、 前記シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光を照射する励起光照射手段と、 赤外光を放射する赤外光放射手段と、 前記赤外光放射手段から放射された赤外光を集光した状態で前記領域内に照射する集光照射手段と、 前記集光照射手段により照射された赤外光のうち前記シリコン半導体薄膜において反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する反射光強度検出手段と、 前記検出信号を処理して前記シリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成するデータ作成手段とを備えることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
IPC (2件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
H01L21/268 T ,  H01L21/66 N
Fターム (3件)：
4M106BA05 ,  4M106BA08 ,  4M106CB19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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