特許
J-GLOBAL ID：200903026215748485
電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272490
公開番号（公開出願番号）：特開2004-112916
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】高いサージ電圧と高周波の振動現象抑制し、発生ノイズ低減、素子破壊防止が可能である電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置を提供する。【解決手段】電力変換装置に用いる電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動装置において、第1のゲート駆動条件でオンオフ動作する前記電圧駆動型半導体素子のターンオフ時に印加される特定時刻におけるコレクタ・エミッタ間電圧値の検出手段あるいは電圧変化率の検出手段を備え、前記いずれかの検出手段の検出結果に応じて次のターンオン用ゲート駆動条件を第2のゲート駆動条件に切り替える手段を具備する。即ち、低電流時はスイッチング素子(IGBT)のコレクタ・エミッタ間電圧が通常時に比べ緩やかに上昇することを検出して、次のスイッチングではゲートオン抵抗値を大きくすることにより、スイッチング動作を緩やかにして、FWD逆回復時のサージ電圧と高周波の振動を抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電力変換装置に用いる電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動装置において、第1のゲート駆動条件でオンオフ動作する前記電圧駆動型半導体素子のターンオフ時に印加される特定時刻におけるコレクタ・エミッタ間電圧値の検出手段あるいは電圧変化率の検出手段を備え、前記いずれかの検出手段の検出結果に応じて次のターンオン用ゲート駆動条件を第2のゲート駆動条件に切り替える手段を具備することを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。
IPC (3件)：
H02M1/00
, H02M1/08
, H02M7/48
H02M1/00 F
, H02M1/08 A
, H02M7/48 M
5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007DB03
, 5H007DC05
, 5H007FA01
, 5H740BA11
, 5H740BB05
, 5H740HH05
, 5H740KK01
, 5H740MM01
