特許
J-GLOBAL ID：200903026239780010
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081535
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274313
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 通常雰囲気中での、露光-PEB間の酸失活による影響を抑制し、寸法変動の少ないパターンを形成可能なレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に、酸触媒化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜の所定の領域に化学放射線を照射してパターン露光を施すことにより露光部に酸を発生させる工程、前記パターン露光後のレジスト膜を加熱処理して前記酸による触媒反応を進める工程、及び前記加熱処理後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するレジストパターンの形成方法において、前記パターン露光後、加熱処理前のレジスト膜が形成された基板を、真空中もしくは不活性ガス中に15分以上放置することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、酸触媒化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜の所定の領域に化学放射線を照射してパターン露光を施すことにより露光部に酸を発生させる工程、前記パターン露光後のレジスト膜を加熱処理して、前記酸による触媒反応を進める工程、および前記加熱処理後のレジスト膜を、現像液を用いて現像処理する工程を具備し、前記パターン露光後、加熱処理前のレジスト膜が形成された基板を、真空中もしくは不活性ガス中に15分以上放置することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/004 503
, G03F 1/08
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/004 503
, G03F 1/08 A
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 568
