特許
J-GLOBAL ID:200903026244215208

光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-266434
公開番号(公開出願番号):特開2006-086160
出願日: 2004年09月14日
公開日(公表日): 2006年03月30日
要約:
【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れ、さらに、光電変換効率が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)等を提供する。【解決手段】少なくとも一つのメロシアニン色素を含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
有機p型半導体と有機n型半導体の有機pn接合を有する光電変換膜において、少なくとも一つのメロシアニン色素を含むことを特徴とする光電変換膜。
IPC (3件):
H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/05
FI (3件):
H01L31/10 D ,  H01L27/14 E ,  H01L29/28
Fターム (13件):
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049WA03
引用特許:
出願人引用 (3件)

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