光電子集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051563
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244447
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】フォトダイオードの感度を向上させ、後段の電子素子で前段の信号を確実に処理できる光電子集積回路を提供する。【構成】化合物半導体基板1上に、面入射型フォトダイオードと電子素子が形成された光電子集積回路において、フォトダイオードの受光層3と基板1の間に多層反射膜2を設ける。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、面入射型フォトダイオードと電子素子が形成された光電子集積回路において、フォトダイオードと基板の間に多層反射膜を設けたことを特徴とする光電子集積回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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