特許

J-GLOBAL ID：200903026296476468

半導体の製造方法

発明者： 尾江 邦重 ,  岡本 浩
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-016695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214316
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】従来よりも低い温度で半導体材料の成長が可能で、かつ原料ガス気流中もしくは基板表面との反応性の低い原料ガスを用いて、ガリウムとビスマスを少なくとも含む良質の半導体材料を歩留まり良く製造する。【解決手段】有機金属を用いた気相成長法により、ガリウムとビスマスを少なくとも含む半導体材料を成長する方法において、ガリウムの原料として、トリイソプロピルガリウムを用いる。特に、良質のGaInAsBi混晶またはGaAsSbBi混晶等が効率良く得られる。

請求項（抜粋）：

有機金属を用いた気相成長法により、ガリウムとビスマスを少なくとも含む半導体材料を成長する方法において、上記ガリウムの原料として、トリイソプロピルガリウムを用いることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体混晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-149865   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体結晶の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182782   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-136616
  

審査官引用 (3件)

• 半導体混晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-149865   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体結晶の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182782   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-136616