超臨界乾燥方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223467
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】レジスト薄膜のパターン倒れ、レジスト薄膜のパターン膨れが生ずるのを防止する。【解決手段】基板22にレジスト薄膜を形成し、公知のリソグラフィ手法により露光を施し、現像を行なうことにより、基板22にレジスト薄膜のパターンを形成し、続いてリンスを行ない、基板22を反応室21内に保持し、ポンプユニット24で一定量の液化二酸化炭素をボンベ23から反応室21に圧送するとともに、反応室21内の二酸化炭素の圧力を圧力制御バブル26で自動制御することにより、反応室21内の二酸化炭素の圧力を7.38〜8MPaにし、反応室21内の二酸化炭素を超臨界流体とし、超臨界二酸化炭素を反応室21から放出することにより減圧して、基板22を乾燥する。

請求項（抜粋）：

リンスを行なった基板が保持された反応室内の超臨界流体により上記基板を乾燥する超臨界乾燥方法において、上記超臨界流体として7.38〜8MPaの圧力に制御された二酸化炭素を用いることを特徴とする超臨界乾燥方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-170026
特開平3-127832
超臨界流体を利用した洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-009442 出願人：シャープ株式会社

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