特許

J-GLOBAL ID：200903026323228056

成膜方法及び装置

発明者： 増井 新 ,  木下 公男
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 牧野 剛博 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008806
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217131
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 ストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができるAl配線膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 Al配線層MLの成膜に際して、基板WAに入射するAlイオンのエネルギーを30〜90eVとする。これにより、Alイオンが既に堆積したAl配線層MLを活性化する。Al配線層MLを活性化することで、高い配向性を示すAl配線層MLを得ることができる。

請求項（抜粋）：

成膜対象である基板の表面を不活性ガスのプラズマにさらすとともに、膜材料であるアルミニウムをイオン化して前記基板の表面に入射させる成膜方法であって、成膜に際して前記基板に入射するアルミニウムイオンのエネルギーは、30から90eVであることを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 301 L ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/32 B ,  H01L 21/203 Z

Fターム (37件)：

4K029AA09 ,  4K029BA03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029DB17 ,  4K029DD05 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029FA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD35 ,  4M104DD41 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104GG20 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  4M104HH03 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F103AA02 ,  5F103BB09 ,  5F103DD28 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103RR10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• アルミニウム膜被着物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026115   出願人：株式会社クラレ, 日新電機株式会社
• 特開昭63-051630
  
• 成膜装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-089758   出願人：住友重機械工業株式会社
• 成膜装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086708   出願人：住友重機械工業株式会社

審査官引用 (3件)

• アルミニウム膜被着物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026115   出願人：株式会社クラレ, 日新電機株式会社
• 特開昭63-051630
  
• 成膜装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-089758   出願人：住友重機械工業株式会社