特許
J-GLOBAL ID:200903041766667558
成膜装置及び方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-089758
公開番号(公開出願番号):特開2000-282227
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月10日
要約:
【要約】【課題】 成膜速度の微妙な調整が可能な成膜装置及び方法を提供すること。【解決手段】 ハース本体53では、容器本体53a及び蓋部53bによって、金属融液MLの上方に蒸気溜まりの空間VSが形成されている。つまり、ハース本体53が蒸発口53cによって開口を絞り込んだ形状のルツボとなっているため、ルツボ内すなわち空間VSの蒸気圧が高くなり、蒸気を構成する原子または分子がクラスター化し、クラスター粒子からなる蒸気ビームCBとして蒸発口53cから出射する。さらに、蒸気ビームCBは、基板に向かって進行する途中でプラズマビームを形成するプラズマ雰囲気中を通過するため、蒸気ビームCBを構成するクラスター粒子が活性化およびイオン化されて基板上に付着し、基板上の成膜が進行する。
請求項(抜粋):
プラズマビームを成膜室中に供給するプラズマ源と、膜材料の蒸気溜まりを有する材料蒸発源を備えるとともに前記成膜室中に配置されて前記材料蒸発源に前記プラズマビームを導くハースと、を備える成膜装置。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/32 G
, H01L 21/285 B
Fターム (18件):
4K029DB12
, 4K029DD05
, 4M104BB04
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD36
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104HH20
引用特許:
審査官引用 (13件)
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プラズマ処理装置の陽極構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-279289
出願人:住友重機械工業株式会社
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特開平2-290965
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特開平3-064456
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合金皮膜のイオンプレーティング方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-036179
出願人:日本鋼管株式会社
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蒸着装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-160150
出願人:エイ・ジー・テクノロジー株式会社
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特開昭48-000081
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特開昭61-099670
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特公昭61-051336
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特開平2-290965
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特開平3-064456
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特開昭48-000081
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特開昭61-099670
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特公昭61-051336
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