太陽電池用シリコン基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：矢野正行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012669
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194485
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】ミクロンオーダーの凹凸の表面にサブミクロンオーダーの凹凸が形成されたシリコン基板を製造する量産性に優れた方法を提供する。【解決手段】表面に1〜20μmの高低差を有する凹凸からなるテクスチャーが形成されたシリコン基板を準備する工程と、下記(a)及び(b)のいずれかの工程を経ることを特徴とする太陽電池用シリコン基板の製造方法。 (a)テクスチャー化された前記表面に金属粒子を無電解メッキした後、基板を酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液でエッチングする工程。 (b)金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液で前記基板をエッチングする工程。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

表面に1〜20μmの高低差を有する凹凸からなるテクスチャーが形成されたシリコン基板を準備する工程と、下記(a)及び(b)のいずれかの工程を経ることを特徴とする太陽電池用シリコン基板の製造方法。 (a)テクスチャー化された前記表面に金属粒子を無電解メッキした後、基板を酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液でエッチングする工程。 (b)金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液で前記基板をエッチングする工程。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L31/04 H , H01L21/306 B

Fターム (9件)：

5F043AA02 , 5F043AA10 , 5F043BB02 , 5F043BB03 , 5F043FF10 , 5F051AA02 , 5F051CB21 , 5F051GA04 , 5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第4137123
太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2003007176 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
WO2005/059985

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