特許
J-GLOBAL ID:200903063818507876

シリコン太陽電池を粗面状化するための金属触媒技術

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 廣江 武典 ,  宇野 健一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-518537
公開番号(公開出願番号):特表2004-506330
出願日: 2001年08月03日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
粗面状化された太陽電池、及びナノスケールの角錐及び柱状構造のような不規則に分布する表面形状体の形成を触媒する金属源を利用したそれらの製造技術。これらの構造は、入射光の波長より小さい寸法を有し、それにより、高度に有効な反射防止表面をもたらす。本発明によれば、反応性イオンエッチングチャンバ内の金属源により、不純物(例えば金属粒子)が反応性イオンエッチングチャンバプラズマ内に導入され、それにより、エッチングすべき基板の表面上にマイクロ-マスクが堆積する。別々の実施例が開示されており、1つの実施例では、金属源は粗面状化すべき表面に対して戦略的に位置付けされた1つ以上の金属コーティングされた基板を含み、別の実施例では反応チャンバの壁が金属触媒材料の薄いコーティングで事前調整される。
請求項(抜粋):
不規則に分布する表面形状体を基板上に形成することにより、基板上に粗面状化された表面を作成する方法であって、前記基板の表面を、少なくとも1つのエッチャントを含む反応性イオンエッチングプラズマと、少なくとも1つの源からプラズマ中に導入される金属粒子とに曝すステップを含んでなることを特徴とする基板状に粗面化された表面を作成する方法。
IPC (2件):
H01L21/3065 ,  H01L31/04
FI (2件):
H01L21/302 105B ,  H01L31/04 H
Fターム (24件):
5F004AA16 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F004BD00 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EA29 ,  5F051AA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051GA20 ,  5F051HA07
引用特許:
審査官引用 (6件)
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引用文献:
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