特許
J-GLOBAL ID：200903026347731751
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036534
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234996
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】アルミ配線の疎密に依存せず、良好な平坦性を有し、スルーホール接続不良の無い、高品質多層配線間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】基板4上にシラン系プラズマ酸化膜3を堆積し、アルミ合金膜,PSG膜を堆積した後、アルミ合金膜およびPSG膜を同時に加工し、アルミ配線6の上面にPSG膜5があるような構造を作製する。次に、O3 /TEOS常圧CVD法で、O3 /TEOS酸化膜8を形成して、平坦な層間絶縁膜を得る。この工程を繰り返すことで、多層配線が形成される。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜と、アルミ合金,高融点金属或いはそのシリサイド等の金属膜と、第2の絶縁膜をこの順で形成する工程と、該第2の絶縁膜と該金属膜をリソグラフィー法およびドライエッチング法を用いて同時にパターニングする工程と、原料ガスの少なくとも一部分に、オゾンと有機シランを含む気相成長法(以下、オゾン-有機シラン化学気相成長、と言う)によって、第3の絶縁膜を形成する工程とを、この順で、含むことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
