特許
J-GLOBAL ID：200903026355334044

半導体装置の製造方法

発明者：
木村 親夫

木村 親夫 について

, 
長手 隆

長手 隆 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090086
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289545
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 両性不純物を用いて工程数を削減し、高価な溶媒の使用量を削減できると共に、浅い拡散層による発光効率の高い発光素子を形成し得る液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)半導体基板1の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層1aを形成する。(b)金属層1aが設けられた半導体基板1を、金属層1aが形成された主表面側が一定の間隙部2を有するように、略平行に対置させると共に、その間隙部2に、両性不純物を含む液相エピタキシャル成長用溶液4を充填する。(c)エピタキシャル成長用溶液4の温度を下げることにより、半導体基板1の主表面上にN型層11とP形層12とからなるPN接合を形成する。(d)温度が充分に低くなってから、半導体基板1とエピタキシャル成長用溶液4を分離する。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板の主表面に、液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法において、(a)前記半導体基板の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層を形成する工程と、(b)前記半導体基板を複数枚準備し、または前記半導体基板と他の基板とを準備し、前記金属層が形成された主表面側が一定間隔の間隙部を有するように、前記複数枚の半導体基板同士または前記半導体基板と他の基板とを略平行に対置させると共に、該間隙部に両性不純物を含む液相エピタキシャル成長用溶液を充填する工程と、(c)前記エピタキシャル成長用溶液の温度を、前記両性不純物の導電型が反転する反転温度より高い温度から順次下げることにより、前記半導体基板の主表面上にPN接合を有するエピタキシャル成長層を形成する工程と、(d)前記エピタキシャル成長用溶液の温度が前記エピタキシャル成長層を成長し得る温度より低くなってから前記半導体基板と前記エピタキシャル成長用溶液とを分離する工程とからなる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/208 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/208 D ,  H01L 33/00 A
Fターム (26件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F053AA03 ,  5F053AA25 ,  5F053AA33 ,  5F053BB44 ,  5F053BB52 ,  5F053BB53 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL02 ,  5F053RR11 ,  5F053RR13
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM