特許

J-GLOBAL ID：200903026356638080

半導体集積回路の保護回路

発明者： 市川 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004577
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195442
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 静電破壊の発生を防止できる半導体集積回路の保護回路を提供する。【構成】 基板1の表面側に設けた第1導電型の保護素子領域31とこの保護素子領域31の表面側に設けた第2導電型の第1拡散層32と第2拡散層33とを有し、第1拡散層32をMOSトランジスタ10の電源線23に接続し、第2拡散層33を外部入力端子21とMOSトランジスタ10の間の振動線24に接続してなる保護素子30で、MOSトランジスタ10を有する半導体集積回路の保護回路を構成する。そして、保護素子30のバイポーラ動作によって、電源線23に帯電した電荷を外部入力端子21から放電し、外部入力端子21に帯電した電荷を電源線23から放電する。

請求項（抜粋）：

同一基板の内部回路領域に複数のMOSトランジスタを有する半導体集積回路の保護回路であって、前記基板の表面側に設けた第1導電型の保護素子領域と当該保護素子領域の表面側に設けた第2導電型の第1拡散層と第2拡散層とを有し、前記第1拡散層が前記MOSトランジスタの電源線または接地線に接続され、前記第2拡散層が外部端子に接続される保護素子で構成されることを特徴とする半導体集積回路の保護回路。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 入出力保護装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-338423   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭56-040279
  
• 特開昭63-031157
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-221624   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭56-040279
  
• 特開昭63-031157