特許

J-GLOBAL ID：200903026364169781

メッキ配線およびその製造方法

発明者： 孝谷 卓哉 ,  星野 浩一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311803
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154667
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 メッキ配線を行う際に、給電電極層のエッチング処理で下地がダメージを受けないようにする。【解決手段】 保護膜22が形成された半導体基板21上に、メッキ配線を行う部分に対応してTi層,Au層の各膜厚を50nmとしたバリアメタル層23を形成する。下層のレジスト膜24を塗布してバリアメタル層23部分に開口部25を形成する。給電電極層27を全面に成膜する。上層のレジスト膜28を塗布し、開口部25に対応してこれよりも狭い開口部29を形成する。給電電極層27に電圧を印加しながら電解メッキを行い、開口部29にAuのメッキ層30を形成する。上層のレジスト膜28を剥離した後、給電電極層27をエッチングするときに、開口部25近傍の下層にバリアメタル層23があるので、下地にエッチング液が達することがなく、エッチオフされない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるメッキ層により構成されるメッキ配線であって、前記メッキ層の下層に設けられた電解メッキ用給電電極層と、この電解メッキ用給電電極層と前記半導体基板との間に介在されその電解メッキ用給電電極層の幅寸法よりも幅広に形成された金属層とを備えたことを特徴とするメッキ配線。

IPC (6件)：

H01L 21/288 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-135638
  
• メッキ配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-121778   出願人：日本電装株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-175397   出願人：富士通株式会社
• 特開昭58-135638