特許
J-GLOBAL ID：200903026384304324
結晶育成用坩堝及び単結晶及び単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-206222
公開番号（公開出願番号）：特開2007-112700
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】 融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。【解決手段】 坩堝材料から構成された坩堝内にあるからなるLGS(La3Ga5SiO14)又はSGG(Sr3Ga2Ge4O14)又はLTG(La3Ta0.5Ga5.5O14)又はニオブ酸リチウムLN(LiNbO3)又はタンタル酸リチウムLT(LiTaO3)又はニオブ酸カリウムリチウムKLN(K3Li2Nb5O15)結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成する方法において、結晶材料の融液である結晶液滴11と坩堝材料で作製された板型試料10との接触角12が8°以上である坩堝材料を用いた坩堝を使用した単結晶育成方法。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
坩堝材料から構成された坩堝内にあるLGS(La3Ga5SiO14)又はSGG(Sr3Ga2Ge4O14)又はLTG(La3Ta0.5Ga5.5O14)又はニオブ酸リチウムLN(LiNbO3)又はタンタル酸リチウムLT(LiTaO3)又はニオブ酸カリウムリチウムKLN(K3Li2Nb5O15)からなる結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成するのに使用する結晶育成坩堝において、前記結晶材料の融液と前記坩堝材料との接触角が8°以上である前記坩堝材料を用いたことを特徴とする結晶育成坩堝。
IPC (5件)：
C30B 15/10
, C30B 29/34
, C30B 29/32
, C30B 29/30
, C30B 15/08
C30B15/10
, C30B29/34 Z
, C30B29/32 G
, C30B29/30 B
, C30B29/30 A
, C30B15/08
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BC31
, 4G077BC32
, 4G077BC36
, 4G077BC37
, 4G077BC44
, 4G077BD15
, 4G077CF01
, 4G077EB01
, 4G077EG02
, 4G077HA01
, 4G077HA11
, 4G077PC02
, 4G077PD01
