特許
J-GLOBAL ID：200903056400850322
単結晶育成用坩堝及びそのアフターヒーター
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
今下 勝博
, 岡田 賢治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276997
公開番号（公開出願番号）：特開2005-035861
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】本発明は、坩堝外底面での濡れ性を低減し、坩堝外底面への溶融液付着を防止することが可能な単結晶育成用坩堝を提供し、これにより高効率、高品質且つ高性能な単結晶の育成を実現可能とすることを目的とする。【解決手段】マイクロ引き下げ法により単結晶を育成する坩堝の形状を、坩堝の下部の内壁を細孔の入口側開口部に向けて先細り状に縮径させ、且つ坩堝底部から水平に凸起させた所望単結晶の成長方向横断面形状とほぼ相似形状の凸起平面に細孔の出口側開口部を設け、凸起平面を表面粗さが10μm以下の平滑平面とした。前記条件を満たすことにより、坩堝の底面への融液の付着を抑制し、結晶成長方向に沿った添加元素分布の均一化を図りつつ、角柱形状、円柱形状又は板状形状等の各種形状の単結晶をシングルプロセスで育成することを可能にした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶材料の溶融液を収容し、該溶融液を流出させるための細孔を底部に少なくとも1つ設け、前記溶融液に種結晶を接触させることにより固液界面を形成し、準安定状態を保ったまま種結晶を下方へ移動させることにより単結晶を育成させるマイクロ引き下げ法(μ-PD法)のための坩堝であって、
該坩堝の下部の内壁を前記細孔の入口側開口部に向けて先細り状に縮径させ、且つ坩堝底部から水平に凸起させた所望単結晶の成長方向横断面形状とほぼ相似形状の凸起平面に前記細孔の出口側開口部を設け、前記凸起平面を表面粗さが10μm以下の平滑平面としたことを特徴とする単結晶育成用坩堝。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BC24
, 4G077CF01
, 4G077EG01
, 4G077EG20
, 4G077FE18
, 4G077PC02
, 4G077PD02
, 4G077PE04
, 4G077PE22
出願人引用 (3件)
-
結晶製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-292873
出願人：キヤノン株式会社
-
単結晶の育成方法および装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-075328
出願人：日本碍子株式会社
-
大型フッ化セリウム結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-102679
出願人：高エネルギー加速器研究機構長, 応用光研工業株式会社
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
