特許
J-GLOBAL ID:200903026387160366

ガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-099652
公開番号(公開出願番号):特開2001-281213
出願日: 2000年03月31日
公開日(公表日): 2001年10月10日
要約:
【要約】【課題】小型で、十分な感度と応答性が得られ、選択性が高く、安定性に優れた二酸化窒ガスセンサ、一酸化窒素ガスセンサおよび二酸化炭素ガスセンサを提供する。【解決手段】本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型pn接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。さらに、本発明のガスセンサは、金属亜硝酸塩および金属硝酸塩の表面が白金粒子を含有する。本発明のガスセンサは、二酸化窒ガス濃度、一酸化窒素ガス濃度、二酸化炭素ガス濃度を測定するものである。
請求項(抜粋):
半導体基板にソース領域、ドレイン領域、ゲート領域を形成した電界効果型トランジスタのゲート領域にイオン導電性酸素酸塩と集電体を形成したことを特徴とするガスセンサ。
FI (2件):
G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/30 301 P
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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