特許
J-GLOBAL ID：200903026398923523

プラズマ処理装置

発明者：
碓井 薫

碓井 薫 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260098
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 マイクロローディング効果の影響及びチャージダメージの少ないプラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空排気可能な処理容器と、処理容器内に配置され、処理対象基板を保持するための保持面を有し、該保持面に平行な表面を有する第1の電極と処理容器内に磁界を発生させるためのコイルが取り付けられた基板保持台と、第1の電極と共にキャパシタを構成する第2の電極とを有する。
請求項（抜粋）：
真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置され、処理対象基板を保持するための保持面、該保持面に平行な表面を有する第1の電極、及び該第1の電極以外の領域に配置され前記処理容器内に磁界を発生させるためのコイルを含む前記基板保持台と、前記第1の電極と共にキャパシタを構成する第2の電極とを有するプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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