特許

J-GLOBAL ID：200903026400757903

プラズマ処理装置

発明者： スニル ウィクラマナヤカ
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283926
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【解決手段】 プラズマ処理装置はプラズマ源と基板ホルダ15を含む反応容器10によって構成される。反応容器は非磁性金属のトッププレート11と金属のボトムプレート13と少なくとも一部にセラミック部分を有する円筒型側壁12とにより構成される。基板ホルダはボトムプレートに設けられる。複数のマグネット21がトッププレートに分離して配置される。反応容器の内部に向かうマグネットの極性は交互に変化させられ、マグネットはトッププレートの内面の近くにカスプ磁界を生成する。この構成は1つまたは2つの電力供給のシステムに応用される。

請求項（抜粋）：

プラズマ源と基板ホルダを含み、非磁性金属によって作られたトッププレートと、金属で作られたボトムプレートと、そして少なくとも一部に誘電体物質によって作られた部分を有する側壁とによって構成され、前記基板ホルダは前記ボトムプレートの上に配置される反応容器と、前記トッププレートの外側で分離して配置された複数のマグネットであって、前記反応容器の内側に向かう前記マグネットの極性は交互に変更され、前記マグネットは前記トッププレートの内側面に近い箇所で閉じた磁束を伴うカスプ磁界を生成する前記複数のマグネットと、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-142592   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開昭62-286227
  
• プラズマ表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-005062   出願人：株式会社東芝