特許

J-GLOBAL ID：200903026440190809

半導体装置の製造方法

発明者： 吉田 真治 ,  池田 義人 ,  山口 琢己 ,  村田 隆彦 ,  春日 繁孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210717
公開番号（公開出願番号）：特開2007-024800
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 中空構造を有する半導体装置の製造方法であって、メンブレンの破損を防いで歩留まりを向上させることができる製造方法を提供する。 【解決手段】 犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

犠牲層エッチングを用いる半導体装置の製造方法であって、 犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 ウエハからチップを切り出すダイシング工程と、 エッチングによって犠牲層を除去するエッチング工程と、を含み、 ダイシング工程の後にエッチング工程を実行する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/00 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

G01J1/02 C ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 B ,  H01L21/302 105B

Fターム (33件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065BB24 ,  2G065DA20 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA30 ,  4M118CA14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118GA10 ,  4M118HA30 ,  5F004BA19 ,  5F004DA00 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB30 ,  5F004EA09 ,  5F004EA38 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB14 ,  5F088GA03 ,  5F088HA20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 精密機械的な構造要素、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-389728   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体装置の製造方法および赤外線イメージセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-125827   出願人：三菱電機株式会社