特許
J-GLOBAL ID：200903005048206775

半導体装置の製造方法および赤外線イメージセンサの製造方法

発明者：
木股 雅章

木股 雅章 について

, 
中木 義幸

中木 義幸 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125827
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299596
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 複数箇所のエッチングホールから半導体基板内にエッチングガスを導入することにより中空部分を形成する従来の赤外線イメージセンサの製造方法では、それぞれのエッチングホール下で最もエッチングが進行するため、端部でのエッチングを防止するエッチングストッパの深さが増大するが、かかる深いトレンチ状の溝形成は非常に困難であった。【解決手段】 エッチング開始時に接合柱内のエッチングホールのみからエッチングガスを導入することにより、半導体基板中の中空部分のエッチング形状は接合柱直下で最も深く、端部になるにしたがい浅くなるため、従来のような深いエッチングストッパを形成する必要が無くなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上の単位素子領域毎に第1の構造体を形成する工程と、前記第1の構造体の所定の箇所に前記第1の構造体を貫通し底部が前記半導体基板に達する少なくとも1以上の第1のエッチングホールを形成する工程と、前記第1の構造体上に犠牲層を設ける工程と、前記第1のエッチングホールとは異なる箇所に前記犠牲層を貫通する孔を設け、前記孔を埋め込むことにより底部が前記第1の構造体に達する接合柱を設ける工程と、前記犠牲層上に第2の構造体を形成する工程と、前記第2の構造体と前記接合柱と前記第1の構造体とを貫通し、底部が前記半導体基板に達する第2のエッチングホールを設ける工程と、前記第2のエッチングホールからエッチングガスを導入して前記半導体基板をエッチングすることにより中空部分を形成する工程と、前記半導体基板のエッチングが進行するにしたがい前記第2のエッチングホールを通して供給され前記中空部分を経て前記第1のエッチングホールから導入された前記エッチングガスにより前記犠牲層をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/14 ,  G01J 1/02 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 31/02 ,  H01L 37/02
FI (6件)：
G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 Q ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 21/302 F ,  H01L 31/02 A
Fターム (24件)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA34 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA30 ,  4M118CA14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004DA19 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB25 ,  5F004EA23 ,  5F004EB08 ,  5F088AA01 ,  5F088AB02 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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