特許
J-GLOBAL ID：200903026440995009
放熱板およびその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小松 高
, 和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093499
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278595
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】Pbフリーはんだを適用した場合に、はんだボイドの生成が顕著に抑制され、高い接合面強度が安定して発揮される半導体装置用の放熱板を提供する。【解決手段】板の圧延方向をL方向、圧延方向と板厚方向とに垂直な方向をT方向と呼ぶとき、オーバーハング部を有し且つL方向の径が3μm以上である窪みが、L方向に50μm以上の長さX(μm)にわたって、下記(A)に従うL方向の密度で連なって形成される「筋状カブリ」の存在密度が、T方向1mmあたりに3本以下である銅または銅合金の板からなる半導体装置用の放熱板。(A)前記長さXの中に存在する各窪みのL方向の径を合計した値をDTOTAL(μm)とするとき、下記(1)式を満たすこと。 DTOTAL/X>0.1 ......(1)【選択図】図2
請求項（抜粋）：
板の圧延方向をL方向、圧延方向と板厚方向とに垂直な方向をT方向と呼ぶとき、
オーバーハング部を有し且つL方向の径が3μm以上である窪みが、L方向に50μm以上の長さX(μm)にわたって、下記(A)に従うL方向の密度で連なって形成される「筋状カブリ」
の存在密度が、はんだ接合される板面部分においてT方向1mmあたりに3本以下である銅または銅合金の板からなる半導体装置用の放熱板。
(A)前記長さXの中に存在する各窪みのL方向の径を合計した値をDTOTAL(μm)とするとき、下記(1)式を満たすこと。
DTOTAL/X>0.1 ......(1)
IPC (3件)：
H01L 23/36
, B21B 1/22
, B23K 1/20
H01L23/36 Z
, B21B1/22 L
, B23K1/20 C
4E002AA08
, 4E002AD05
, 4E002BB09
, 4E002BC05
, 4E002BD10
, 4E002BD20
, 4E002CB03
, 5F136BA36
, 5F136FA03
, 5F136GA12
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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