特許
J-GLOBAL ID：200903071009785213
低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318417
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149714
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】この塗布液は、比誘電率が2.5以下と小さく、ヤング弾性率が6.0 GPa以上、しかも疎水性に優れた低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成する。【解決手段】この塗布液は、(a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および特定のアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含む。テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)には、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)、テトラメチルオルソシリケート(TMOS)またはその混合物を用い、アルコキシシランには、メチルトリメトキシシラン(MTMS)、メチルトリエトキシシラン(MTES)またはその混合物を用いる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高い膜強度を有し、疎水性に優れた平滑な低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液であって、
テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)を、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物を含むことを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液。
XnSi(OR)4-n (I)
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Rは水素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、nは0〜3の整数である。)
IPC (4件)：
C09D183/04
, C01B33/12
, C09D5/25
, C09D183/02
C09D183/04
, C01B33/12 C
, C09D5/25
, C09D183/02
4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072BB13
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH29
, 4G072HH30
, 4G072KK15
, 4G072LL14
, 4G072MM02
, 4G072NN21
, 4G072RR05
, 4G072UU01
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038JB11
, 4J038LA02
, 4J038NA01
, 4J038NA07
, 4J038NA11
, 4J038NA21
