特許
J-GLOBAL ID：200903026485778904

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
大原 和樹

大原 和樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170841
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353717
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 多種多様な種類のレジスト膜に対して、除去特性の向上を図ることができる半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】 個々のレジスト塗布装置1に除去液供給部4を設ける。除去液供給部4は、複数の除去液キャニスタK1〜KNを有し、個々の除去液キャニスタK1〜KNには、互いに異なる除去液L1〜LNが入っている。そして、個々の除去液キャニスタK1〜KNは、それぞれ流量制御バルブB1〜BNを介して除去液用ノズル3に接続されている。そして、複数の除去液キャニスタK1〜KNに接続されている流量制御バルブB1〜BNを調整することにより、除去液用ノズル3から放出される除去液の種類を、レジスト膜の種類に応じて変える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に溶剤を含む膜を塗布する工程と、 (b)前記半導体基板のエッジ部分に形成された前記膜を除去液で除去する工程とを複数回行う半導体装置の製造方法であって、 前記半導体基板に塗布される前記膜の種類によって、前記膜を除去する前記除去液が異なる半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  B05C11/08 ,  B05C11/10 ,  G03F7/16
FI (5件)：
H01L21/30 577 ,  B05C11/08 ,  B05C11/10 ,  G03F7/16 ,  H01L21/30 564C
Fターム (15件)：
2H025AB16 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042AB00 ,  4F042CC04 ,  4F042CC09 ,  4F042CC10 ,  4F042EB25 ,  4F042EB29 ,  5F046JA03 ,  5F046JA05 ,  5F046JA09 ,  5F046JA15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • レジスト塗布装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108889   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (3件)

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