特許

J-GLOBAL ID：200903026493072972

薄膜ガスセンサの製造方法

発明者： 小野寺 克己 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-065773
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 適当なエッチング溶液がない場合でも、破断なく積層が可能な加工方法を提供する。【解決手段】 Si基板にSiO2 膜を形成した上にAl等を形成(第1層)した後、Cr等を積層(第2層)して2層膜を形成し(図1(a)の?A参照)、この第2層をフォトエッチング加工により所望の線幅にパターン加工した後、これをマスクとして第1層をオーバエッチング加工し2層膜を支える支柱としたきのこ状2層構造体を形成し(図1(a)の?B参照)、さらに、この構造体をマスクとして被加工物質をスパッタや蒸着等で成膜したのち、最後に構造体をエッチングして取り除くことにより(図1(a)の?D参照)、被加工物質が逆台形に形成されないようにする。

請求項（抜粋）：

Si基板の一側面中央部がダイアフラム様にくり抜かれた基板面上に、SiO2 膜,窒化Si膜を含む支持膜を介して、薄膜ヒータをスパッタ法または蒸着法によって形成した後、SiO2 膜,窒化Si膜を含む電気絶縁膜を介して感知膜電極をPtまたはAuによって形成した上にSnO2 からなる感知膜を形成したことを特徴とする薄膜ガスセンサの製造方法。

Fターム (20件)：

2G046AA02 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046DB04 ,  2G046DE01 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA11 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE25 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガスセンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-300512   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097005   出願人：三洋電機株式会社