特許
J-GLOBAL ID：200903026506020683
透明導電膜及びそれを含む透明導電性基材
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
篠原 泰司
, 藤中 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-302832
公開番号（公開出願番号）：特開2007-113026
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】波長400nm以下において高い光透過率を有する透明導電膜、ならびにそれを含む透明導電性基材を提供する。【解決手段】主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が0.97以上1.86未満であって、主にβ-Ga2O3型構造の酸化ガリウムインジウム相(β-GaInO3相)とビックスバイト型構造の酸化インジウム相(In2O3相)から構成され、且つ、下記式で定義されるX線回折ピーク強度比が45%以下、密度が5.8g/cm3以上である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、直流スパッタリング法で得られる酸化物膜であり、主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が0.97以上1.86未満である非晶質膜であって、且つ、基板を除いた膜自体の透過率が50%を示す最短波長が350nm以下であることを特徴とする。 In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)×100 [%]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が0.97以上1.86未満であって、主にβ-Ga2O3型構造の酸化ガリウムインジウム相(β-GaInO3相)とビックスバイト型構造の酸化インジウム相(In2O3相)から構成され、且つ、式(1)で定義されるX線回折ピーク強度比が45%以下、密度が5.8g/cm3以上である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、直流スパッタリング法で得られる酸化物膜であり、主としてガリウム、インジウム、酸素からなり、インジウムに対するガリウムの原子比率が0.97以上1.86未満である非晶質膜であって、且つ、基板を除いた膜自体の透過率が50%を示す最短波長が350nm以下であることを特徴とする透明導電膜。
In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)×100 [%] (1)
IPC (4件)：
C23C 14/08
, C04B 35/00
, C23C 14/34
, H01B 5/14
C23C14/08 D
, C04B35/00 J
, C23C14/08 K
, C23C14/34 A
, H01B5/14 A
4G030AA34
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA01
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029FA07
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC09
