特許

J-GLOBAL ID：200903026530484240

溝配線を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 信和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189316
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗でステップカバレジが良好な電解めっきの下地層が形成されたCu溝配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜1表面にRIEにより配線用溝2を形成する。次に、配線溝2内に積層膜を同一チャンバ内で連続成膜する。先ず、WF6、NH3及びH2等のガスを使用した熱CVD法により第1のWN膜3を形成し、NH3ガスのみ止めて引き続きW膜4を形成し、再度NH3ガスを導入して引き続き第2のWN膜5を形成する。その後、この積層膜をCu析出用の下地層として電解めっき法によってCuを形成し、配線用溝2をCu膜6で埋め込む。その後、CMP法等で、層間絶縁膜1上のCu膜6、第2のWN膜5、W膜4及び第1のWN膜3からなる積層膜を除去し、溝配線7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜に形成された配線用溝と、前記配線用溝内に形成され第1のメタルナイトライド膜、メタル膜及び第2のメタルナイトライド膜からなる積層膜と、この積層膜上に形成され前記溝を埋めるCu膜とを有することを特徴とする溝配線を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 R

Fターム (35件)：

4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD06 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD64 ,  4M104DD75 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053644   出願人：ソニー株式会社
• 電気めっき充填を改善する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305522   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド