特許
J-GLOBAL ID：200903026589366519
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-327507
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243082
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 従来と同等以上のエッチング形状と選択比を得ることができ,温室効果の原因にならない処理ガスを用いたエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に,流量比が1≦(C5F8の流量/O2の流量)≦1.625のC5F8とO2とArから成る処理ガスを供給し,圧力雰囲気を45mTorr〜50mTorrにする。ウェハWを載置した20°C〜40°Cの下部電極110に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し,該プラズマによりウェハWに形成されたSiNX膜206上のSiO2膜208にコンタクトホール210を形成する。C5F8とO2により,SiO2膜208垂直に近い形状のコンタクトホール210を形成できると共に,SiNX膜206に対するSiO2膜208の選択比を向上させることができる。C5F8は,大気中に放出されても短時間で分解される。
請求項（抜粋）：
気密な処理室内に導入した処理ガスをプラズマ化させて,前記処理室内に配置された被処理体に形成されたSiO2膜にエッチング処理を施すエッチング方法において,前記処理ガスは,少なくともC5F8とO2とを含むことを特徴とする,エッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 L
, C23F 4/00 E
