特許
J-GLOBAL ID：200903003656591190
ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299205
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219942
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 レジストに対するエッチング選択比の向上したドライエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 高密度プラズマを用いたドライエッチングにおいて、炭素に対するフッ素の比率が2未満のフルオロカーボンガスを使用する。希ガスおよび酸素をフルオロカーボンガスに添加すれば、選択比およびエッチングレートを更に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも炭素およびフッ素を含むガスをプラズマが形成されている反応室内に供給する工程を包含するドライエッチング方法であって、前記ガスに含まれる炭素に対するフッ素の比率が2未満であることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
, H05H 1/46 A
, H05H 1/46 L
