特許
J-GLOBAL ID：200903026595002413

半導体の熱処理方法

発明者：
櫻田 隆

櫻田 隆 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315260
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135590
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【目的】 Siをイオン注入したGaAs基板をアニールするときに内部にSiが拡散せず、しかもスリップ、ウエハ反りが発生しないような熱処理法を与えること。【構成】 熱処理の為に昇温する過程でスリップが発生する温度領域において昇温速度を低下させる待機ステップを設ける。或いは熱処理後に降温する過程でスリップが発生する温度領域において降温速度を低下させる待機ステップを設ける。待機ステップによってウエハ中心部と周辺部の温度差が減少してスリップや反りが発生しなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物イオンを加速して注入するイオン注入後の活性化アニールにおいて、降温時に降温速度を一時的に低下させる待機ステップを設けたことを特徴とする半導体の熱処理方法。
引用特許：
審査官引用 (2件)

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