半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045511
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241871
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】所望の抵抗値を実現させ、反りや歪みが低減された半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【構成】不純物イオンが注入された半導体基板を、半導体基板に注入されたイオンが実質的に活性化されない温度から成り且つ幅が100°C以内である第1の温度帯に含まれる温度まで、輻射又は光照射により加熱する第1のステップと、半導体基板を輻射又は光照射により所定の時間第1の温度帯内の温度に維持する第2のステップと、半導体基板を輻射又は光照射により第2の温度まで加熱してイオンを活性化し、半導体基板上に半導体装置を形成する第3のステップとを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

輻射又は光照射によるアニールを用いた半導体装置の製造方法であって、不純物イオンが注入された前記半導体基板を、前記半導体基板に注入された前記イオンが実質的に活性化されない温度から成り且つ上限の温度と下限の温度との幅が100°C以内である第1の温度帯に含まれる温度まで、前記輻射又は光照射により加熱する第1のステップと、前記半導体基板を前記輻射又は光照射により所定の時間前記第1の温度帯内の温度に維持する第2のステップと、前記輻射又は光照射により、前記第1の温度帯の上限の温度よりも高い第2の温度まで前記半導体基板を加熱して前記イオンを活性化し、前記半導体基板上に半導体装置を形成する第3のステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26 , H01L 21/324 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (5件)：

H01L 21/265 A , H01L 21/324 Z , H01L 21/26 L , H01L 29/80 B , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-216658 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平3-068134
特開昭62-045179

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