特許

J-GLOBAL ID：200903026601747191

成膜方法

発明者： 山崎 舜平 ,  村上 雅一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205956
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308766
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】高純度、且つ、高密度の有機化合物層を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】成膜室内に配置された基板上に有機化合物材料を蒸着させる成膜方法であって、成膜室内を5×10-3Torrよりも高真空とし、基板に対向して配置した蒸着源から有機化合物材料を蒸着させて基板上に有機化合物層を成膜し、成膜後、基板を大気にふれさせることなく、成膜室とは異なる処理室に搬送し、処理室内を5×10-3Torrよりも高真空とし、且つ、基板を加熱して有機化合物層中のガスを低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜室内に配置された基板上に有機化合物材料を蒸着させる成膜方法であって、 前記成膜室内を5×10-3Torrよりも高真空とし、前記基板に対向して配置した蒸着源から有機化合物材料を蒸着させて前記基板上に有機化合物層を成膜し、 前記成膜後、前記成膜室内を5×10-3Torrよりも高真空とし、且つ、前記基板を加熱して前記有機化合物層中のガスを低減することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/58 ,  C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (5件)：

C23C14/58 A ,  C23C14/24 C ,  C23C14/24 R ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (21件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107FF16 ,  3K107FF17 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG34 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BB03 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029HA01 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 有機分子の薄膜製造方法および薄膜パターン製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-225153   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-045259
  
• 不純物が添加された有機ポリシラン薄膜又は炭化ケイ素薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269891   出願人：三菱化成株式会社
• 特開平1-119662
  
• 有機電界発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-042355   出願人：シャープ株式会社
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-362561   出願人：日本真空技術株式会社