シリコン酸化膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-255144
公開番号（公開出願番号）：特開2008-109128
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】低圧力、低酸素濃度条件でのプラズマ酸化処理の長所を維持しながら、膜厚のパターン疎密依存性が少なく、均一な膜厚でシリコン酸化膜を形成する。【解決手段】プラズマ処理装置の処理室内に、少なくとも表面がシリコンで構成され表面に凹凸パターンを有する被処理体を配置する工程と、処理ガスのプラズマを形成し、被処理体表面のシリコンに処理ガスのプラズマを作用させて酸化させ、シリコン酸化膜を形成する工程とを含み、シリコン酸化膜を形成する工程は、処理ガス中の酸素の割合が0.1%以上10%以下で、かつ圧力が0.133Pa以上133.3Pa以下の条件でプラズマを形成するとともに、処理室内のプラズマ発生領域と被処理体との間に複数の貫通開口を有する部材を介在させた状態で、プラズマにより被処理体のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置の処理室内に、少なくとも表面がシリコンで構成され表面に凹凸パターンを有する被処理体を配置する工程と、処理ガスのプラズマを形成し、被処理体表面のシリコンに処理ガスのプラズマを作用させて酸化させ、シリコン酸化膜を形成する工程と、を含み、前記シリコン酸化膜を形成する工程は、前記処理ガス中の酸素の割合が0.1%以上10%以下で、かつ圧力が0.133Pa以上133.3Pa以下の条件で前記プラズマを形成するとともに、前記処理室内のプラズマ発生領域と被処理体との間に複数の貫通開口を有する部材を介在させて、前記プラズマを前記貫通開口を介して被処理体へ導き、被処理体のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成することを特徴とする、シリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/316 A , H01L21/31 C , H01L29/78 301G , H01L29/78 301V

Fターム (32件)：

5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AD08 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF12 , 5F045BB02 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EK07 , 5F045GB15 , 5F058BA06 , 5F058BC02 , 5F058BE04 , 5F058BF73 , 5F058BG10 , 5F058BJ04 , 5F058BJ06 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

酸化膜形成方法および電子デバイス材料
公報種別：再公表公報出願番号：JP2003009111 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094246 出願人：大見忠弘
薄膜トランジスタの作製方法、その薄膜トランジスタを用いた表示装置及びその表示装置が組み込まれた電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-105193 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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