特許
J-GLOBAL ID：200903013008274690

誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

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須川 成利

須川 成利 について

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平山 昌樹

平山 昌樹 について

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白井 泰雪

白井 泰雪 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-094246
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261097
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 シリコン表面に、シリコン面方位に依存しない均一で高品質な電気的特性に優れたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、高誘電率酸化膜を約500°C程度以下の低温で形成する方法を提供する。【解決手段】 シリコンを基体とするトランジスタないしは容量を複数個含む半導体装置の成膜方法において、前記シリコンの表面には予め少なくとも一部に水素が存在し、前記シリコン表面を第1の不活性ガスによるプラズマに嘱して前記水素を除去してから、第2の不活性ガスと一種類ないしは複数種類の気体分子の混合ガスによるプラズマを発生させて、前記シリコン気体の表面に前記気体分子を構成する元素の少なくとも一部を含むシリコン化合物層を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン表面上に形成された誘電体膜であって、前記誘電体膜は窒素を、窒素濃度が誘電体膜表面において、誘電体膜中央部におけるよりも増大するような濃度分布で含むことを特徴とする誘電体膜。
IPC (8件)：
H01L 21/318 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (8件)：
H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/02 Z ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (40件)：
5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE10 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP27 ,  5F083EP54 ,  5F083EP55 ,  5F083ER02 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F101BA29 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BH04 ,  5G303AA07 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB19 ,  5G303CB30
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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