絶縁領域形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569444
公開番号（公開出願番号）：特表2003-507879
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2003年02月25日
要約：

【要約】本発明は一態様として絶縁領域形成方法に関し、該方法は、a)基板上に酸化物層を形成する過程と、b)前記酸化物層上に窒化物層を形成する過程であって、前記窒化物層と酸化物層は、それらを通って延び、下に横たわる基板の一部分を露出するための開口パターンを有している過程と、c)前記基板の中にまで延びた開口を形成するために下に横たわる基板の露出した一部分をエッチングする過程と、d)前記下に横たわる基板の露出した一部分をエッチングした後、前記窒化物層の一部分を、該窒化物層のいくらかの部分を前記基板上に残したまま除去する過程と、e)前記窒化物層の一部分を除去した後、前記基板内の前記開口内に、該開口内の部分が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する酸化物を形成する過程とからなる。本発明は他の態様として絶縁領域形成方法に関し、該方法は、a)基板上に窒化シリコン層を形成する過程と、b)前記窒化シリコン層の上にマスク層を形成する過程と、c)前記マスク層を通して前記窒化シリコン層まで延びた開口のパターンを形成する過程と、d)前記開口を、該開口に近いエッジ領域と該エッジ領域の間の中央領域とを有する前記窒化シリコン層を通して、下に横たわる基板まで延長する過程と、e)前記開口を下に横たわる前記基板の中まで延長する過程と、f)前記開口を下に横たわる前記基板の中にまで延長した後、前記窒化シリコン層の厚さを、前記エッジ領域のところで、該エッジ領域が前記中央領域に対して薄くなるように減少させる過程と、g)前記開口内に酸化物を形成する過程とからなる。

請求項（抜粋）：

絶縁領域形成方法であって、該方法は、基板上の第1マスク層、及び該第1マスク層の上に位置する第2マスク層を通して開口を形成する過程と、前記開口を形成した後、前記第2マスク層の一部分を、第2マスク層のいくらかを前記基板上に残したまま除去する過程と、前記第2マスク層の一部分を除去した後、前記開口内に、該開口内の部分が絶縁領域の少なくとも一部分を構成する絶縁材料を形成する過程と、からなることを特徴とする絶縁領域形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/76 L

Fターム (25件)：

5F004AA11 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB26 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA10 , 5F004EA23 , 5F004EB04 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032BA01 , 5F032CA17 , 5F032DA24 , 5F032DA27 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-116687 出願人：三菱電機株式会社
トレンチ絶縁分離型半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287549 出願人：ソニー株式会社
トレンチ素子分離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-052944 出願人：三星電子株式会社

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