半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308442
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】素子分離領域の分離特性の劣化を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子分離領域を有する半導体装置の製造方法において、素子分離領域となる溝部を形成するとともに、上記溝部と半導体基板の主表面との接合部をほぼテーパー形状に形成する。

請求項（抜粋）：

素子分離領域を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の主表面上に少なくとも1層からなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板の主表面において、前記素子分離領域を形成する領域上に位置する前記第1の絶縁膜の部分に、上部の平面積より底部の平面積が小さくなるとともに、側面の少なくとも下部に凸部を有する開口部を形成する工程と、前記第1の絶縁膜をマスクとして異方性エッチングを用いて、前記凸部と前記半導体基板の一部とを除去することにより、素子分離領域となる溝部を形成するとともに、前記溝部と前記半導体基板の主表面との接合部をほぼテーパー形状に形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-271620
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-022977 出願人：日本電気株式会社
スペーサを利用した半導体装置のトレンチの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223026 出願人：三星電子株式会社

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