特許
J-GLOBAL ID：200903026674321109

シリコン基板のスルーホールプラギング方法

発明者：
真篠 直寛

真篠 直寛 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 石田 敬 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178902
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022990
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】シリコン基板にスルーホールを形成した後、このスルーホールをめっきによりプラギングして金属を埋め込む場合に、プラグ金属内に生じた微細ボイドを除去することにより、プラグ金属の緻密性、密着性を向上する。【解決手段】電解めっきによりシリコン基板1のスルーホール内を金属11で充填して、更にシリコン基板の両面を研磨して平滑化した後に、シリコン基板に高圧アニール処理を施すことを特徴とする。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
シリコン基板にスルーホールを形成する工程と、該スルーホール内壁面を含むシリコン基板表裏面に絶縁膜を形成する工程と、シリコン基板の一方の面に接着剤を介して導体を貼り付ける工程と、シリコン基板の他方の面よりスルーホール内にエッチングを施して前記接着剤に穴あけ加工して前記導体をスルーホール内に露出させる工程と、前記導体を電極としてめっきを施してスルーホール内を金属で埋め込む工程と、前記導体を剥離するとともに前記金属を含む前記シリコン基板の両面を平滑化する工程と、該シリコン基板に高圧アニール処理を施す工程とを含むことを特徴とする、シリコン基板のスルーホールプラギング方法。
IPC (1件)：
H01L21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (7件)：
5F033JJ11 ,  5F033MM30 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ86
引用特許：
審査官引用 (4件)
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