特許

J-GLOBAL ID：200903026683327837

固体材料からなる薄膜の作製方法

発明者： ベルナール・アスパー ,  ミシェル・ブリュル
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-506678
公開番号（公開出願番号）：特表2001-512906
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：

【要約】本発明は、固体材料からなる薄膜の作製方法に関するものであって、-基板内にマイクロキャビティ層を形成し得るようなイオンを使用して、基板に、所定温度でもって所定時間にわたってイオン打込を行うステップと、-マイクロキャビティ層を境界として基板に裂け目を得る目的で、所定時間にわたって所定温度とするというアニールステップと、を具備してなり、アニールステップを、イオン打込ステップにおける熱的組合せと打込イオンの照射量と打込イオンのエネルギーとを考慮して決定される熱的組合せに従って、行うことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

固体材料からなる薄膜の作製方法であって、-前記固体材料からなる基板の体積内においてイオンの平均侵入深さのあたりにマイクロキャビティ層またはマイクロバブル層を形成し得るようなイオンを使用して、前記基板の一面を通して、所定温度でもって所定時間にわたって、イオン打込を行うステップと、-前記マイクロキャビティ層または前記マイクロバブル層を境界として前記基板に裂け目を得る目的で、前記マイクロキャビティ層または前記マイクロバブル層を所定時間にわたって所定温度とするというアニールステップと、を少なくとも具備してなり、 前記基板に裂け目を得るための前記アニールステップを、前記イオン打込ステップにおける熱的組合せと打込イオンの照射量と打込イオンのエネルギーと他のステップが行われる場合にはそのステップにおける熱的組合せとを考慮して決定される熱的組合せに従って、行うことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 基板上に半導体薄膜を有する構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-233119   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク