特許

J-GLOBAL ID：200903026683353536

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 菊地 敏 ,  藤井 克司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152161
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353553
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 低コンタクト抵抗かつ密着性に優れ、動作電圧の低減に寄与可能な電極構造を有する半導体発光装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 基板上1にp型化合物半導体層14と電極15とを有する半導体発光装置であって、電極15は、p型化合物半導体層14と接触するAu層9、不純物吸収層10、不純物バリア層11及び表面層12をこの順に有する。

請求項（抜粋）：

基板上に化合物半導体層と電極とを有する半導体発光装置であって、前記電極は、p型の化合物半導体層と接触するAu層、不純物吸収層、不純物バリア層及び表面層をこの順に有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 5/042 612 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01S 5/042 612 ,  H01L 21/28 301 G

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB09 ,  4M104BB11 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF03 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F073AA07 ,  5F073AA74 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB18 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-252471
  
• III-V族化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-096824   出願人：三菱化学株式会社
• 特開昭63-252471
  
• オーミック電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-021983   出願人：ソニー株式会社